针对暂态抑制二极管(transient voltage suppressor,TVS)的分布电容与外加电压关系问题,通过对暂态抑制二极管分布电容的理论分析,采用对TVS两端施加反向电压测量其分布电容的方法,利用理论与试验相结合的方法,试验得出:功率为1500 W,参考电压从6.8 V到39 V的TVS的静态分布电容的总体趋势随参考电压增大而减小;外加反偏电压在0 V到反向击穿电压范围内,TVS的分布电容随着外加反偏电压的增大而减小;1.5KE系列的TVS的内建电势为一定值,试验所得约为1.51 V,与参考电压、分布电容以及外加反偏电压均无关,这对TVS在实际中的应用具有一定的指导意义。 结合平板电容器特点推导出了分布电容与外加偏压的关系式，同时指出分布电容随着杂质掺杂浓度增高而增大，随着反偏电压增大而减小的规律[16]。以上学者在pn结分布电容的研究方面做了大量的研究工作。然而，现阶段研究的TVS的分布电容与外加反偏电压的关系基本都是基于理论推导，缺乏真实的试验验证，因此，文中通过对一系列TVS的pn结的试验测试，得到分布电容与对应外加反偏电压的关系，通过对试验数据的处理分析以验证相关理论关系式与试验结果的一致性。1理论分析如图1（a本文由公司网站滚圆机网站采集转载中国知网资源整理!www.wanguanji138.com）所示，外加电压关系分析-电动液压滚圆机滚弧机折弯机张家港数控滚圆机滚弧机在pn结二极管的空间电荷区内，能够自由移动的载流子由于自建电场的作用，被驱赶出空间电荷区，存留下来的荷正电的电离施主和荷负电的电离受主。空间电荷区以外的p型和n型半导体内是电中性的，即使在空间电荷区内也满足电中性条件，所以电离施主和电离受主的数目是相等的。也就是说，如果电离施主的浓度为ND，电离受主的浓度为NA，p型和n型区空间电荷层厚度分别为xn和xp，那么，则有NAxp=NDxn。这种空间电荷区受到加在pn结上的直流偏压的有效控制，所以可以用作变容器件，即变容二极管。图1（b）是电子能带和静电势图。现分析电荷分布如图1（c）所示突变结的电容。对于TVS这种突变型pn结，假定空间电荷区内不存在载流子，空间电荷区内的电势分布由泊松方程求解[17]。在p型区的空间电荷区范围（-xp≤x<0）：d2pdx2=+eNAε0εs（1）图1突变型pn结Fig.1Mutantp-njunction其边界条件：在x=-xp处，p=0，dpdx=0。在n型区的空间电荷区范围（0≤x<xn）d2ndx2=-eNDε0εs（2）其边界外加电压关系分析-电动液压滚圆机滚弧机折弯机张家港数控滚圆机滚弧机本文由公司网站滚圆机网站采集转载中国知网资源整理!www.wanguanji138.com